碳化硅研磨深加工

进一步探索

碳化硅晶片减薄砂轮与磨削技术分享； 知乎

2023年10月31日  碳化硅生产流程中的核心环节是碳化硅衬底的加工，主要分为碳化硅衬底的切割、薄化、抛光三道工序。其中薄化主要通过磨削与研磨实现，研磨又分为粗磨和

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超声振动辅助研磨单晶碳化硅晶片工艺研究

2021年12月9日  针对传统研磨方法加工单晶碳化硅晶片存在的材料去除率低、磨料易团聚等问题，本文提出超声振动辅助研磨方法，并探究不同工艺参数（转速、磨料质量分数、

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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎

2021年12月16日  目报道的碳化硅切片加工技术主要包括固结、游离磨料切片、激光切割、冷分离和电火花切片，不同技术对应的性能指标如表1所示，其中往复式金刚石固结磨料多线切割是最常应用于加工碳化硅单晶的

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宇晶股份：目公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量

2023年11月3日  宇晶股份近期接受投资者调研时称，碳化硅是第三代半导体材料代表之一，碳化硅是一种高性能的磨料，具有高硬度、高强度、高耐磨性、高耐腐蚀性、高热稳

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宇晶股份：目公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现

2023年11月3日  近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平，公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工单晶碳化硅抛

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上海微系统所发表关于碳化硅单晶薄膜制备技术及集成光子

2022年8月8日  光子集成电路的衬底需求高质量的薄膜材料，碳化硅光子学发展十余年以来，多种技术方案制备的碳化硅薄膜被用于光子器件的验证，例如，外延生长、化学气相

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一文看碳化硅材料研究现状 知乎

2020年11月4日  二、碳化硅材料加工工艺研究 SiC的硬度仅次于金刚石，可以作为砂轮等磨具的磨料，因此对其进行机械加工主要是利用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光，其中金刚

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首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有

2020年10月21日  以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生

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第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎

2019年9月5日  碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。 衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸碳化硅衬底的研磨和抛光工艺仍不能满足要求，需要进一步开发研磨、抛光工艺参数，降低晶圆

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碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案 百家号

2022年10月28日  碳化硅单晶衬底研磨液. 研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。. 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。. 研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。. 粗磨主要

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碳化硅晶片减薄工艺试验研究_百度文库

碳化硅晶片减薄工艺试验研究. 梁津;赵岁花;高岳. 【摘 要】研究了用减薄磨削的方式代替碳化硅晶片制片过程中的研磨工序,对线切割后的碳化硅晶片进行磨削试验;对比了减薄和研磨磨削的加工效率,分析了晶片表面粗糙度和晶片厚度变化量. 【期刊名称】《电子

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碳化硅 ~ 制备难点 知乎

2023年3月13日  晶体制备. 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。. 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：. 温场控制困难、生产速度缓慢：以目的主流制备方法物理气相传输

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线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用 知乎

2023年6月18日  近年来,金刚线切割技术因其加工效率高、线耗成本低和环境友好等优势受到业界的广泛关注。. 金刚线切割技术通过固结在线锯上的金刚石磨粒作为固定切割点在晶体材料上刻划实现材料的去除。. 如 图 2 (a)所示,金刚线通常为表面附着镍基合金或树脂的不锈钢

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碳化硅芯片的设计和制造 知乎

2023年4月1日  如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。. 比如SiC大量使用了干蚀刻 (Dry etch)，还有高温离子注入工艺，注入的元素也不一样。. 当国际上的SiC MOSFET绝

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【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎

2023年1月17日  碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。

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碳化硅行业发展现状分析 深加工、高附加值成行业转型方向

2018年3月2日  深加工、高附加值的碳化硅制品是行业未来转型方向. 目，《中国制造2025》以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业，国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领

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什么是碳化硅？及用途 知乎

2021年12月15日  ②绿碳化硅含SiC99％以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。 此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。

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碳化硅：核心优势、产业链及相关公司深度梳理【慧博

2022年9月6日  碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，根据科锐和应用材料公司官网数据显示，相较于硅基功率器件，碳化硅基MOSFET尺寸可以减少为同电压硅基MOSFET的十分之

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【半导体】碳化硅晶片的磨抛工艺方案 知乎

2023年6月19日  碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。1.切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目常规的切割方式是多线砂浆切割 2.研磨 研磨工艺是去除切割

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铝基碳化硅加工难度大的原因是什么？ 知乎

2022年10月21日  铝基碳化硅复合材料的两组分（铝合金基体和碳化硅颗粒增强相）之间的硬度和塑性等性能差异巨大，在常规加工中伴随着塑性去除和脆性断裂两种材料去除方式，因此往往发热严重而且表面缺陷和亚表面损伤非常严重。 AlSiC复合材料一般是铸造法或粉末冶金法等制备 ，需要进一步的机械加工达到

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SiC行业深度报告：SiC东风已来_腾讯新闻

2023年8月22日  SiC衬底加工精度直接影响器件性能，要求SiC晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤。SiC单晶的加工过程主要分 为切片、研磨和抛光，其中切割是SiC衬底加工的第一道工序，对后续衬底外延以及晶圆制造至关重要。 SiC的硬度仅次于金刚石，属于高硬脆材料，切割

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第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 碳化硅（SiC）材料是功率

2021年6月8日  碳化硅晶片是碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。 碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。

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SiC 衬底——产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展 知乎

2021年11月24日  3. 碳化硅衬底技术壁垒高，处于产业链核心位 3.1. 碳化硅衬底生产流程与硅基类似，但是难度大幅度增加 碳化硅衬底的制作流程一般包括原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、晶片研磨、 抛光、清洗等环节。

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域半导体提出碳化硅外延片的去除外延再生衬底方案 知乎

2023年3月6日  只有经过良好的CMP加工才可以将外延片恢复至与原衬底相当的品质，利用时才能生长较好的外延。. 以上就是域半导体提出的碳化硅外延片去除外延再生衬底方案，该方案能够加工更高效、精确更高的去除外延层，保留衬底厚度，并提高CMP的加工效率

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碳化硅产业链 SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游

2022年9月27日  SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。1.衬底 衬底价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成...

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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日  切割是衬底加工中首要关键的工序，成本占总加工成本50%以上。切割 是碳化硅晶棒第一道加工工序，决定了后续研磨、抛光的加工水平，切 片后需要使用全自动测试设备进行翘曲度（Warp）、弯曲度（Bow）、厚 度变化（TTV）等面型检测。

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碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 转载自：信熹

2021年12月4日  转载自：信熹资本Part I 简介01 什么是碳化硅纯碳化硅（SiC）是无色透明的晶体，又名莫桑石（Moissanite）, 高品质莫桑石的火彩好于钻石。然碳化硅非常罕见，仅出现在陨石坑内，常见碳化硅主要通过人工合成得到。碳化硅又叫金刚砂，具有优良的热力学和电化学性能。

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